RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около 15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
10.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.4
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
10.6
Скорость записи, Гб/сек
8.2
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2503
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMWX8GF2933Z16W4 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link