RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
28
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.5
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
19
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
20.0
Скорость записи, Гб/сек
8.2
17.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
3499
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link