RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.2
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
34
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.2
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2245
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.8FE 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link