RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB против V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.2
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
28
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.2
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1822
2136
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link