SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 41

Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 17.7
Скорость записи, Гб/сек

7.1 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1484 3482

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

Kingston 9965669-032.A00G 16GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB

модули RAM

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB

модули RAM

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

Micron Technology AFLD48VH1P 8GB

модули RAM

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB

модули RAM