RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2292
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link