RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2545
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link