SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

41 74

Около 45% меньшая задержка

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 74
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 14.9
Скорость записи, Гб/сек

7.1 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1484 1925

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

Kingston 9905678-173.A00G 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

Kingston XVTW4H-MIE 32GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB

модули RAM