SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Средняя оценка

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Сообщить об ошибке

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 41

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.9 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.1 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

41 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 15.9
Скорость записи, Гб/сек

7.1 12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1484 2781

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

Kingston KHX2400C15/16G 16GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB

модули RAM