RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.9
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
2831
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link