RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
11.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
42
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.5
8.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.7
11.1
Скорость записи, Гб/сек
8.0
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2535
2319
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link