RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
74
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
74
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
1679
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link