RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
44
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3384
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link