RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
20.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3592
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Samsung M392B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link