RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
44
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
23
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2659
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW128GX4M8C3000C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Lenovo 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link