RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
44
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
21
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2950
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFX 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link