RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
44
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3188
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
AMD R744G2133U1S 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
INTENSO M418039 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link