RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
44
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3392
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link