RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
3773
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link