SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 48

Около 8% меньшая задержка

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.8 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 12800

Около 2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 48
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 16.8
Скорость записи, Гб/сек

7.8 15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 25600

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1977 3047

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB

модули RAM

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB

AMD R748G2133U2S 8GB

AMD R748G2133U2S 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB

модули RAM

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

Kingston XJ69DF-MIE2 8GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB

модули RAM