RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
11.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
11.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2292
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link