RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
44
Около -69% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2890
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link