RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
44
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
35
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2768
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link