RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сравнить
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB против SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
44
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
32
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1977
2641
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link