RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB против Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB

SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB Причины выбрать
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    41 left arrow 45
    Около 9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.2 left arrow 11.9
    Среднее значение в тестах
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Причины выбрать
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.1 left arrow 7.7
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.2 left arrow 11.9
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.7 left arrow 8.1
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2001 left arrow 2077

SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB Сравнения RAM

A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Сравнения RAM

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6MFR8A-PB 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
модули RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
модули RAM
Corsair CM2X1024-6400 1GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
модули RAM
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
Kingston 9905458-009.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
модули RAM
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
модули RAM
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
модули RAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
модули RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
модули RAM
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
модули RAM