SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB против Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Средняя оценка

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

42 73

Около 42% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.0 8.1

Среднее значение в тестах

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Причины выбрать
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

15.1 12.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 14900

Около 1.29 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 73
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 15.1
Скорость записи, Гб/сек

9.0 8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 19200

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 1744

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

Corsair VS1GB800D2 1GB

Corsair VS1GB800D2 1GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

Kingston 9905625-098.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB

Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB

модули RAM