SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB против Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Средняя оценка

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Сообщить об ошибке

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Причины выбрать
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

35 42

Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.5 12.8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.9 9.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 14900

Около 1.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

42 35
Скорость чтения, Гб/сек

12.8 15.5
Скорость записи, Гб/сек

9.0 11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

14900 21300

Other

Описание

PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-10-9-28 / 1866 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2269 2903

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB

модули RAM

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

Kingston KMKYF9-MID 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

Kingston 9965589-008.D01G 8GB

модули RAM

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB

модули RAM

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB

модули RAM

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB

модули RAM

Mushkin 992031 8GB

Mushkin 992031 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB

модули RAM