SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB против Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    42 left arrow 49
    Около 14% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12.8 left arrow 10.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.0 left arrow 8.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 14900
    Около 1.43 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 49
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.8 left arrow 10.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    9.0 left arrow 8.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    14900 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Тайминги / частота
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2269 left arrow 2504
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения