RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB против Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
42
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
14900
Около 1.29 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
14.8
Скорость записи, Гб/сек
9.0
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
14900
19200
Other
Описание
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2269
2340
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link