RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
60
65
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
60
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2554
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
AMD R534G1601U1S 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link