SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.1

Среднее значение в тестах

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

24 65

Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.2 1,711.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 24
Скорость чтения, Гб/сек

4,018.7 16.1
Скорость записи, Гб/сек

1,711.1 12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

513 2719

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB

модули RAM

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Kingston KP4T2F-PSB 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Maxsun MSD48G30M3 8GB

Maxsun MSD48G30M3 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB

модули RAM

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

Kingston KF3200C18D4/8G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB

модули RAM