SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Средняя оценка

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.6

Среднее значение в тестах

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Причины выбрать
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

32 65

Около -103% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.5 1,711.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 6400

Около 3.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 32
Скорость чтения, Гб/сек

4,018.7 16.6
Скорость записи, Гб/сек

1,711.1 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 21300

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

513 3049

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

Kingston 9965639-002.A01G 8GB

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB

модули RAM

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Kingston 9905702-071.A00G 8GB

Kingston 9905702-071.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB

модули RAM

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

Kingston 9905701-020.A00G 16GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB

модули RAM