RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Средняя оценка
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.3
1,711.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
4,018.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,711.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
513
2923
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB Сравнения RAM
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP28D4S7D8HA-16X 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link