SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB против Kingston KCDT82-MIE 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Средняя оценка

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17

Среднее значение в тестах

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Причины выбрать
Kingston KCDT82-MIE 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 65

Около -71% меньшая задержка
Выше скорость записи

12.5 1,711.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 6400

Около 4 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingston KCDT82-MIE 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

65 38
Скорость чтения, Гб/сек

4,018.7 17.0
Скорость записи, Гб/сек

1,711.1 12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 25600

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

513 2302

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB

модули RAM

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB

модули RAM

AMD AE34G2139U2 4GB

AMD AE34G2139U2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB

модули RAM

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB

модули RAM

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4R.M16FE1 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5040MM58F9F1600 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB

модули RAM