RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
19.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,076.1
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
59
Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
34
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
3178
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link