SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 17.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 12.6

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

34 59

Около -74% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 34
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 17.2
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 3040

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

Kingston 9905624-007.A00G 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB

модули RAM

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM