SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 16.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,076.1 11.8

Среднее значение в тестах

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Причины выбрать
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 59

Около -97% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 30
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 16.6
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 2945

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB

модули RAM

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

Kingston 9905743-043.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

Kingston X0N6VG-HYD2 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-4600C19A 8GB

модули RAM

Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Kingston 9905403-134.A00LF 2GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 9905471-001.A01LF 2GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

Kingston 99U5700-028.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

Kingston 9905678-029.A00G 8GB

модули RAM