RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Kllisre 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Средняя оценка
Kllisre 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kllisre 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
59
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.6
2,076.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
59
46
Скорость чтения, Гб/сек
4,723.5
11.7
Скорость записи, Гб/сек
2,076.1
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
741
2349
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kllisre 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kllisre 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link