SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB против Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Средняя оценка

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

4 11.2

Среднее значение в тестах

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 59

Около -79% меньшая задержка
Выше скорость записи

8.2 2,076.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

59 33
Скорость чтения, Гб/сек

4,723.5 11.2
Скорость записи, Гб/сек

2,076.1 8.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

741 2284

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

модули RAM

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

Kingston 9905734-018.A00G 16GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

Kingston 9965589-037.D00G 8GB

модули RAM