RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
20.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
62
Около -244% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,658.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
18
Скорость чтения, Гб/сек
4,216.7
20.5
Скорость записи, Гб/сек
1,658.4
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
688
3564
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Jinyu 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link