RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.8
1,658.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
4,216.7
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,658.4
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
688
3963
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 9965525-058.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link