SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB против Kingston 9965589-008.D02G 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Причины выбрать
Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

36 68

Около -89% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.7 4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.3 2,013.5

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

68 36
Скорость чтения, Гб/сек

4,402.8 9.7
Скорость записи, Гб/сек

2,013.5 7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

701 1789

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

модули RAM

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB

модули RAM

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB

модули RAM

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB

модули RAM

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

Kingston KV0M5R-HYD 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB

модули RAM