RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
60
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3726
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link