RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
19.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
16.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
60
Около -88% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
32
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
19.4
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3726
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
INTENSO 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link