RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
16.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
60
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
30
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
16.2
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3636
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-8GAR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link