SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 18.9

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,381.6 13.9

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 60

Около -131% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 6400

Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 26
Скорость чтения, Гб/сек

5,082.2 18.9
Скорость записи, Гб/сек

2,381.6 13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 17000

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

925 3437

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

Kingston 99U5734-014.A00G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

Kingston 9965589-008.D02G 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

Kingston 9965600-011.A01G 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

Kingston 9965669-019.A00G 16GB

модули RAM