RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
18
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
60
Около -114% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
28
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
18.0
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
3889
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link