SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Средняя оценка

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

5 15.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

2,381.6 12.4

Среднее значение в тестах

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

37 60

Около -62% меньшая задержка
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

60 37
Скорость чтения, Гб/сек

5,082.2 15.4
Скорость записи, Гб/сек

2,381.6 12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

925 2356

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

Kingston 9905630-052.A00G 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Kingston 9965433-406.A00LF 8GB

Team Group Inc. 16GB

Team Group Inc. 16GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB

модули RAM

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston HX318C10FK/4 4GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

Kingston 9965596-016.B01G 8GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

Kingston XW21KG-MIE2 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB

модули RAM