RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
5
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,381.6
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
60
Около -82% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
33
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2590
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link