RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сравнить
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB против SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
60
Около -2% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9
5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.6
2,381.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
60
59
Скорость чтения, Гб/сек
5,082.2
9.0
Скорость записи, Гб/сек
2,381.6
7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
925
2128
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link