SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB против A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Средняя оценка

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Причины выбрать
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

44 46

Около 4% меньшая задержка
Выше скорость записи

8,883.4 13.5

Среднее значение в тестах

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

Причины выбрать
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

16.5 14

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 5300

Около 4.83 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB

A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 46
Скорость чтения, Гб/сек

14,740.4 16.5
Скорость записи, Гб/сек

8,883.4 13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек

5300 25600

Other

Описание

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 667 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2811 3038

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB

Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

Kingston 9905678-041.A00G 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB

модули RAM

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240

модули RAM